1973年◕✘☁•，德國ESK公司對艾奇遜法進行了改進◕✘☁•，發展了ESK法↟╃│▩。Esk法的大型SiC冶煉爐建立在戶外◕✘☁•，沒有端牆和側牆◕✘☁•，直線性或U型電極位於爐子底部◕✘☁•，爐長達60m◕✘☁•，用聚乙烯袋子進行密封以回收爐內逸出的氣體◕✘☁•，提取硫後將其透過管道小型火電廠發電↟╃│▩。該爐可採用成本低↟│·、活性高↟│·、易反應的高硫分石油焦或焦炭作為原料◕✘☁•，將原料硫含量由原來的1↟╃│▩。5%提高到5↟╃│▩。0%↟╃│▩。
②
碳化矽粉末的合成方法 合成碳化
矽粉末的方法主要有固相法↟│·、液相法和氣相法三種↟╃│▩。
固相法是透過二氧化矽和碳發生碳熱還原反應或矽粉和炭黑細粉直接在惰性氣氛中發生反應而製得
碳化矽細粉↟╃│▩。可以透過機械法將艾奇遜法或ESK法冶煉的碳化矽加工成SiC細粉↟╃│▩。目前該方法制得的細粉表面積1~15m2/g◕✘☁•，氧化物含量1↟╃│▩。0%左右◕✘☁•，金屬雜質含量1400~2800ppm（1ppm=10-6）↟╃│▩。其細度和成分取決於粉碎↟│·、酸洗等後續處理工藝和手段↟╃│▩。碳化矽粉末也可以由豎爐或高溫迴轉窯連續化生產◕✘☁•，可獲得高質量的b-SiC粉體↟╃│▩。SiO2細粉與碳粉混合料在豎爐的惰性氣氛中◕✘☁•，在低於2000℃的溫度下發生然熱還原反應◕✘☁•，合成b-SiC粉體↟╃│▩。所獲得的SiC的粒度為微米級↟╃│▩。但往往含有非反應的SiO2和C◕✘☁•，需進行後續的酸洗和脫碳處理↟╃│▩。利用高溫迴轉窯也可生產除高質量的SiC細粉↟╃│▩。
