主要用途
用於3-12英寸的單晶矽╃•╃◕•、多晶矽╃•╃◕•、砷化鉀╃•╃◕•、石英晶體的線切割╃↟✘·。是太陽能光伏產業╃•╃◕•、半導體產業╃•╃◕•、壓電晶體產業的工程性加工材料╃↟✘·。
碳化矽的主要分析檢測方法✘·◕↟│：
碳化矽中矽的含量決定碳化矽的硬度╃↟✘·。 碳化矽的粒徑大小對線切割影響很大◕◕││↟， 但***重要的是碳化矽的顆粒形狀╃↟✘·。因為線切割時碳化矽為遊離狀態切割 顆粒的形狀變化對切割效率及切割質量要重要影響╃↟✘·。
檢測辦法✘·◕↟│：矽的含量需要原子吸收檢測（檢測效率高◕◕││↟，數值較精確）╃↟✘·。
碳化
矽粒徑需要電阻法顆粒分析儀（效率高）╃↟✘·。
碳化矽粒型檢測需要瑞思RA200顆粒分析儀╃↟✘·。（可以分析顆粒形狀係數 圓度 較準確）╃↟✘·。
