碳化矽的基本效能
碳化矽是一種人工合成的碳化物·✘，分子式為SiC✘✘✘·。通常是由二氧化矽和碳在通電後2000℃以上的高溫下形成的✘✘✘·。碳化矽理論密度是3.18克每立方厘米·✘，其莫氏硬度僅次於金剛石·✘，在9.2-9.8之間·✘，顯微硬度3300千克每立方毫米·✘，由於它具有高硬度₪╃、高耐磨性₪╃、高耐腐蝕性及較高的高溫強度等特點·✘，被用於各種耐磨₪╃、耐蝕和耐高溫的機械零部件·✘，是一種新型的工程陶瓷新材料✘✘✘·。
電學性質✘✘✘·。常溫下工業碳化矽是一種半導體·✘，屬雜質導電性✘✘✘·。高純度碳化矽隨著溫度的升高電阻率下降·✘，含雜質碳化矽根據其含雜質不同·✘，導電效能也不同✘✘✘·。碳化矽的另一電性質是電致發光性·✘，現已研製出實用器件✘✘✘·。
其他性質✘✘✘·。親水性好·✘，遠紅外輻射性等.
