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碳化矽的基本性質

來源↟↟│✘:http://www.qtafseer.com/news/416.html 釋出日期↟↟│✘: 2022-09-05
      半導體行業作為現代電子資訊產業的基礎╃·,是支撐國民經濟高質量發展的重要行業◕│╃✘。碳化矽是目前發展成熟的第三代半導體材料◕│╃✘。



      碳化矽(SiC)由碳(C)原子和矽(Si)原子組成╃·,密度是3.2g/cm3╃·,天然碳化矽非常罕見╃·,主要透過人工合成◕│╃✘。其晶體結構具有同質多型體的特點╃·,在半導體領域常見的是具有立方閃鋅礦結構的3C-SiC和六方纖鋅礦結構的4H-SiC和6H-SiC◕│╃✘。碳化矽硬度在20℃時高達莫氏9.2-9.3╃·,是硬的物質之一╃·,可以用於切割紅寶石;導熱率超過金屬銅╃·,是Si的3倍·│◕、GaAs的8-10倍╃·,且其熱穩定性高╃·,在常壓下不可能被熔化;碳化矽具有寬禁帶·│◕、耐擊穿的特點╃·,其禁頻寬度是Si的3倍╃·,擊穿電場為Si的10倍◕│╃✘。碳化矽以各種形態和應用方式在電子資訊儲存·│◕、傳輸和資料通訊等相關行業內發揮了巨大的作用╃·,憑藉其穩定的化學特性和半導體材料特質╃·,在半導體材料領域獲得了大的發展空間◕│╃✘。碳化矽粉料有多種合成方式╃·,主要有固相法·│◕、液相法和氣相法3種◕│╃✘。其中╃·,固相法包括碳熱還原法·│◕、自蔓延高溫合成法和機械粉碎法;液相法包括溶膠-凝膠法和聚合物熱分解法;氣相法包括化學氣相沉積法·│◕、等離子體法和鐳射誘導法等◕│╃✘。我廠生產的碳化矽質量還是很不錯的╃·,如果您對於該產品有疑問或者需要╃·,您可以向我們致電諮詢◕│╃✘。

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