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碳化矽原料所含雜質的種類和含量不同

來源◕·:http://www.qtafseer.com/news/412.html 釋出日期◕·: 2022-08-26

       純碳化矽是無色透明的晶體☁↟₪。工業碳化矽因所含雜質的種類和含量不同₪✘,而呈淺黃₪✘·◕、綠₪✘·◕、藍乃至黑色₪✘,透明度隨其純度不同而異☁↟₪。碳化矽晶體結構分為六方或菱面體的 α-SiC和立方體的β-SiC(稱立方碳化矽)☁↟₪。



       α-SiC由於其晶體結構中碳和矽原子的堆垛序列不同而構成許多不同變體₪✘,已發現70餘種☁↟₪。β-SiC於2100℃以上時轉變為α-SiC☁↟₪。碳化矽的工業製法是用石英砂和石油焦在電阻爐內煉製☁↟₪。煉得的碳化矽塊₪✘,經破碎₪✘·◕、酸鹼洗₪✘·◕、磁選和篩分或水選而製成各種粒度的產品☁↟₪。中國碳化矽與水平的差距主要集中在四個方面:一是在生產過程中很少使用機械裝置₪✘,很多工序依靠人力完成₪✘,人均碳化矽產量較低;二是在碳化矽深加工產品上₪✘,對粒度砂和微粉產品的質量管理不夠精細₪✘,產品質量的穩定性不夠;三是某些產品的效能指標與發達國家同類產品相比有一定差距;四是冶煉過程中一氧化碳直接排放☁↟₪。國外主要企業基本實現了封閉冶煉₪✘,而中國碳化矽冶煉幾乎全部是開放式冶煉₪✘,一氧化碳全部直排☁↟₪。因其3.2g/cm的比重及較高的昇華溫度(約2700 °C)₪✘,碳化矽很適合做為軸承或高溫爐之原料物件☁↟₪。在任何已能達到的壓力下₪✘,它都不會熔化₪✘,且具有相當低的化學活性☁↟₪。由於其高熱導性₪✘·◕、高崩潰電場強度及高大電流密度₪✘,在半導體高功率元件的應用上₪✘,不少人試著用它來取代矽☁↟₪。此外₪✘,它與微波輻射有很強的耦合作用₪✘,並其所有之高升華點₪✘,使其可實際應用於加熱金屬☁↟₪。如果您對於該材料有需要₪✘,請致電諮詢☁↟₪。

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